NAND 變成 AI 推論的記憶體層:CMX、KV-cache 與 NAND 廠競爭格局 | Trend Core
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存儲記憶體系列 · 第七篇

存儲記憶體系列 · 主題深度 · ISSUE #135

AI 推論要的不只是更快的硬碟:NAND 怎麼變成 DRAM 與儲存之間的「記憶體層」

記憶體超級週期最常被講的是 HBM 跟 DRAM,但還有第三個關鍵需求正在長出來。當代理式 AI 的「上下文」大到數十 TB、塞不進 DRAM,NAND 被調成一個介於 DRAM/HBM 與儲存之間的記憶體層,NVIDIA 叫它 CMX。它是記憶體超級週期裡,HBM 與 DRAM 之外的第三個關鍵需求。

KV-cache 規模
數十 TB
塞不進任何一層 DRAM
NAND 資料中心需求
→40% by 2031
自約 13% 拉升、推論為主
SSD 調校旋鈕
4 個
差異化在設計、不在拼成本
美股可投
SNDK · MU
NVIDIA 是架構制定方、非受惠股
一句話結論
NAND 正在從一個「比硬碟快的儲存裝置」,變成承接 KV-cache 的 CMX 記憶體層,是記憶體超級週期裡第三個關鍵需求。催它的不是更便宜的儲存需求,是代理式 AI 的推論工作負載;受惠者是 NAND 與固態硬碟廠,NVIDIA 是架構制定方、不是受惠股。美股最直接的兩個觀察點是 Micron 與 SanDisk

先說這篇在做什麼。記憶體超級週期最常被講的是兩個核心支柱:HBM 餵 GPU 訓練、DRAM 全面漲價。但這一輪還有第三個關鍵需求正在長出來,而且它跟前兩者長得不太一樣。NAND,也就是固態硬碟裡的快閃記憶體,過去一直被歸在「大宗商品儲存、景氣循環股」的籃子裡;現在它正在從一個「比硬碟快的儲存裝置」,變成一個介於 DRAM/HBM 與傳統儲存之間的記憶體層。

催它的不是更便宜的儲存需求,是代理式 AI 的推論工作負載。這篇就把這個新需求拆開,分成幾個問題:為什麼 AI 推論需要它、NAND 怎麼被「調」成記憶體、哪幾家廠商把它調對了,以及在美股這個新需求最直接的觀察點是誰。文中的物理機制屬產業既知,競爭定位與部分前瞻數字屬單一分析來源、文中會標明,應回各廠官方資料核對。

🧠為什麼 DRAM 跟 HBM 撐不住 AI 的「記憶」

要理解 NAND 的新角色,先得看 AI 推論這兩年發生的一件事:它從一個「幾分鐘就結束」的計算,變成一個「跑幾小時、甚至幾天」的長任務。當你把一個複雜任務交給一個 AI 代理程式,它不是回你一句話就結束。它會反覆做幾件事:

  • 讀資料
  • 呼叫工具
  • 規劃下一步
  • 再讀
  • 再算

整個過程裡,模型必須記住前面所有的脈絡,這份脈絡在工程上叫 KV-cache,也就是鍵值快取,可以把它理解成模型的「短期記憶」、或者上下文記憶體。任務拖得越長、串接的代理程式越多,這份記憶就越大。

問題出在「越大」。一個大型 agentic 任務的 KV-cache,常常膨脹到數十 TB 的量級。這個數字的殺傷力在於:它根本塞不進任何一層 DRAM。HBM 一顆模組就那麼大、又貴,DRAM 也撐不住數十 TB 的容量。硬要全部放在 DRAM 裡,要嘛塞不下、要嘛貴到不能看。

而對買單的人來說,那些砸大錢自建算力的雲端業者跟超大型雲端業者,還有一個更現實的指標:硬體利用率。他們花了天文數字的資本支出買 GPU,最怕的就是「GPU 在那邊閒置,只因為記憶體容量不夠裝下上下文」。算力被記憶體卡住而空轉,是不能接受的場景。

於是工程上的解法很自然:把這份記憶搬到一個容量夠大、又夠快的地方。容量 NAND 有的是,問題是「要怎麼個快法」,而且不只要快,還要為 KV-cache 的讀寫脾氣量身調過。

這裡還有一個關鍵細節,決定了 NAND 該被怎麼調。AI 生成文字的解碼階段,因為 transformer 架構是自迴歸的,一次只吐一個詞元,吐完才能吐下一個。所以這份 KV-cache 在任務最開頭就被寫進去一次,之後在整個生成過程裡被「不停地讀」。這是一個極度讀偏重的工作負載,寫一次、讀一整場。記住這個特性,後面所有的設計都圍著它轉。

這個趨勢已經不是紙上談兵。有分析指出,DeepSeek v4 的架構就已經把 NAND 當成一級公民,刻意把上下文卸載到固態硬碟、把快取命中率拉到最高,以壓低每個詞元的成本;如果這個做法被證明有效,其他模型很可能跟進。這條屬單一來源,值得回原廠架構文件核對。


🎛️NAND 不是一種東西:它怎麼被「調」成記憶體

過去我們講 NAND,習慣把它當成一個單一規格的東西。這個習慣現在要改。核心觀察是:NAND 正在分裂成記憶體階層裡的好幾個子層級,每一個用不同的技術組合、服務不同的角色。同一批晶圓,可以被調得「更像記憶體」,也可以被調得「更像儲存」。調校的旋鈕有四個,值得一個一個看,因為它們直接決定了哪家廠商能在這個新層級拿到溢價。

旋鈕一:用幾個位元存一格(SLC 到 QLC)

快閃記憶體靠在一個記憶格裡存放不同的電荷量來記資料。SLC 跟 QLC 的差別,可以直接看成下面這張表:

項目SLCQLC
一格存幾個位元一格存 1 個位元一格存 4 個位元
要分辨的狀態2 種狀態16 種狀態
性格快又耐操但貴便宜大碗但慢又比較不耐寫

塞越多位元、同樣面積的容量越大、成本越低,這是 QLC 便宜大碗的原因。但代價是速度跟耐久。狀態分得越細越難分辨,寫入時要來回微調電壓的步數越多,所以越慢、也越容易因為長期使用而出錯。聰明的做法是混搭:用一層 SLC 當快取、後面接 TLC 或 QLC 當主容量,兩邊的好處都拿一點。光是這個旋鈕,就讓「同樣叫 NAND」的產品分出了完全不同的性格。

旋鈕二:一次管多大一塊(IU,間接單元)

每一顆 NVMe 固態硬碟裡都有一張地圖,叫快閃轉換層、簡稱 FTL,負責把系統看到的邏輯位址,對應到 NAND 上的實體位置。這張地圖追蹤的最小一塊,叫間接單元、簡稱 IU。多數企業級固態硬碟沿用 4KB 的 IU,這是從幾十年的檔案系統繼承來的習慣。

但 KV-cache 不是檔案系統。它的資料區塊依模型可以超過 1MB,單一次解碼的傳輸量落在 10GB 到 100GB 的級距。當碟子做到 32TB、64TB 這種容量,4KB 的 IU 會讓那張地圖大到一個程度,塞滿控制器自己的 DRAM、顯著推高成本跟功耗。把 IU 放大到 8KB、16KB、32KB 這些尺寸,可以把地圖縮小 2 到 8 倍。這就是為什麼 Samsung 的 BM1743、SK 海力士與 Solidigm 的 D5-P5336 這些高容量 QLC 碟,都已經把 IU 移到 16KB。

但這裡有個漂亮的轉折,而且直接牽動到誰能在這個新層級拿到好位置。IU 該多大,取決於「誰來發出讀取要求」。而 NVIDIA 的 Storage-Next 架構正在推「GPU 直接存取」,讓 GPU 跳過 CPU、自己對 SSD 發讀取。

項目CPU 在中間管事GPU 直接存取(NVIDIA Storage-Next)
誰來發出讀取要求由主機管理 KV-cache 的擺放、代替 GPU 發出大段連續的讀取讓 GPU 跳過 CPU、自己對 SSD 發讀取
IU 判斷大 IU 是對的如果 IU 是 16KB 或 32KB,而 GPU 其實只要 512 個位元組,FTL 還是得把整塊抓回來
結果適合大段連續的讀取小區塊的讀取能拉高每秒讀寫次數,把 PCIe 餵飽;否則會白白浪費 PCIe 頻寬、讓 GPU 空等它沒要的資料

這正是 Kioxia XL-Flash 的設計原理。記住這個方向:架構的箭頭是指向「GPU 直接讀、繞過 CPU」。

旋鈕三:讀比寫快十幾倍(讀寫不對稱)

NAND 在物理上天生不對稱。三種動作可以排成下面這張表:

動作說明延遲
讀取只是感測一格現有的電荷大約微秒等級
寫入要精準地把電荷放到特定電壓,QLC 還要準到命中 16 種狀態之一大約毫秒等級
擦除要一次清掉一整塊大約數十毫秒

讀跟寫的延遲差距,在記憶格層級大約是 10 到 20 倍。多數 SSD 控制器會把這個不對稱藏起來:寫入先進 DRAM 或 SLC 緩衝、馬上回報完成,真正的 NAND 寫入在背景慢慢做。所以你跑標準測試,看到的讀寫數字差不多,看不出底層的不對稱。對傳統企業應用,這樣平衡是合理的。

但 KV-cache 剛好相反,它寫一次、讀一整場。所以一顆「為 AI 推論調過」的控制器,會做跟傳統設計相反的事:把仲裁偏向讀、把更多內部緩衝給讀取、把寫入排到那些當下沒在服務讀取的晶片上。這是一個軟體與韌體層級的差異化,不是換更貴的晶圓就能買到的。

旋鈕四:別讓新舊記憶卡在同一塊(WAF 與 FDP)

最後一個旋鈕,是 NAND 老問題在 KV-cache 上的新版本。NAND 不能原地覆寫,要改一頁就得擦掉重寫一整塊。理想狀況下寫多少就實際寫多少,這個比值叫寫入放大係數、英文簡稱 WAF,理想是 1;一旦大於 1,就是在多做白工、傷耗壽命。

KV-cache 帶來一個討厭的狀況:同一塊裡可能混著新舊不同壽命的脈絡。任務早期的脈絡幾乎不會再用,近期的脈絡卻被一直讀。當舊脈絡過期、控制器想回收空間,卻發現近期脈絡還混在裡面、不能整塊擦,只好把有效的頁先讀出來、搬到別處,才能回收。這就推高了 WAF、傷了耐久。

業界的解法叫彈性資料放置、簡稱 FDP,是一條 NVMe 規範。它讓系統在寫入時貼標籤,把壽命相近的資料放到同一塊實體 NAND。冷的、熱的脈絡分開放,等舊脈絡一過期,控制器可以直接回收乾淨的整塊、不必搬移任何東西。對「冷熱要分層、又要隨著 KV-cache 老化不停回收」的 AI 推論場景,這正中要害。

把四個旋鈕加起來,你會發現一件事:NAND 能不能在這個新層級拿到溢價,大半不是看誰的晶圓便宜,而是看誰的控制器跟韌體針對 KV-cache 這個工作負載調得最準。這就把競爭從「拼成本」拉到「拼設計」。


🏭誰把它調對了:NAND 廠的競爭格局

把上面四個旋鈕當成計分卡,競爭盤點大致如下。提醒一次,以下競爭定位多屬單一分析來源、部分是前瞻說法,引用個股前請回各廠官方產品頁與財報核對。

01最精準
Kioxia:押得最精準的那一家
它的定位比別人窄、但更明確。CM9 系列直接點名 CMX 這個用途,GP 系列直接綁 NVIDIA 的 Storage-Next 計畫。它也是對 FDP 結果揭露最公開的一家,在 LC9 與 XD8 碟上量到 WAF 接近 1.1。它的 XL-Flash 用的是 SLC 技術,主打 512 位元組的小區塊讀取跟更高的每秒讀寫次數,擺明就是為「GPU 直接讀」這條路調的。Kioxia 在東京掛牌、美股無對應個股,美股投資人較難直接參與。
02全棧
Samsung:跨全棧打
NAND 市占約三成、是市場領導者,而且 NAND 跟控制器都自己設計、有垂直整合優勢;不過這優勢不獨家,Micron 跟 SK 海力士也是垂直整合。它全線廣泛支援 FDP,高容量碟像 BM1743 已移到 16KB IU。Samsung 的打法是橫跨整個 AI 基礎設施棧競爭,不像 Kioxia 那樣專押一個層級。
03美股 · MU
Micron:分三層、還借力 GPU 記憶體擴充
Micron 推的是一條三層 AI SSD 產品線,分別針對資料吃進、轉換、推論三種工作負載。其中對準推論的是 PCIe Gen6 的 Micron 9650,可以搭配 WEKA 的 Augmented Memory Grid,用超快的 NVMe 去擴充 GPU 的記憶體。對美股投資人,這是這個題材裡比較直接、流動性也比較好的標的之一。
04通用型
SK 海力士與 Solidigm:走通用型
它的 D5-P5336 比較像 Samsung 的取向,走比較通用的固態硬碟路線,不像 Kioxia 那樣專為 CMX 訂做。
05美股 · SNDK
SanDisk:純度高、外加 HBF 這條岔路
SanDisk 是純 NAND 與企業級固態硬碟標的,直接吃 CMX 的容量需求。另外它跟 SK 海力士在推高頻寬快閃、簡稱 HBF,把快閃堆疊起來放在 GPU 旁邊,原本是為了放模型權重,但也可以當成跟 GPU 緊密整合的 KV-cache 卸載層。只是當它被封裝在一起,寫入耐久仍是個疑慮,這也是 HBF 一直被質疑的點。CMX 走的是標準 NVMe 固態硬碟、HBF 走的是堆疊快閃,兩者算是同一個目標的兩條姊妹路線。
06定價破壞者
YMTC:帳面上看不到 AI 產品,但定價權正在累積
這家中國廠商營收年增近 450%、四個季度內市占從 8% 衝到 13%、正在逼近 Kioxia 爭第三。它在公開領域還沒有看得到的 AI SSD 或 CMX 專屬產品,也受美國出口管制卡住最先進設備,成長集中在中國內需。但這個成長軌跡很難忽視;一家四季內把市占從 8% 拉到 13% 的廠商,加上後面還有產能要開出來,終究會重塑整個 NAND 產業的定價,包括這個 AI SSD 層級。

這裡要特別點一句:NVIDIA 是這個層級的「架構制定方」,CMX 是它的用語、Storage-Next 是它在推的路線。但 NVIDIA 不是 NAND 受惠股本身。真正賣這個層級、拿到差異化定價的,是上面這些 NAND 與固態硬碟廠。