首爾經濟報三星 NVHBM 底座交台積電 3 奈米：SK 海力士與美光已寫明底座走代工，增量集中在三星

本文研究 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd.（TSM） · 查看目前趨勢 →

我的判斷是，首爾經濟這則獨家帶來的變化集中在三星一家，因為三星是三家記憶體廠裡唯一在公司文件寫明 HBM4E 底座用自家 4 奈米的一家。另外兩家的公司文件早已把底座放在台積電或晶圓代工製程，SK 海力士從 HBM4 起，美光從 HBM4E 起。首爾經濟 10 月 18 日的獨家引述業界人士，說三星內部審查後同意輝達要求，把 NVHBM 的底座交給台積電 3 奈米製造。報導若成立，三星自家晶圓代工會少掉 NVHBM 底座這塊生意，台積電則在 HBM 多一層晶圓營收，金額沒有公開數字。

先說這幾個名詞。HBM 是把多層 DRAM 晶粒疊起來的記憶體，最底層是底座，負責連接上方的記憶體晶粒與旁邊的處理器；HBM4、HBM4E 是它的不同世代。客製 HBM 再往前一步，把記憶體介面的邏輯電路搬進底座，底座因此要用先進邏輯製程，也就是台積電這類邏輯代工廠的先進製程。NVHBM 是輝達的客製 HBM，把輝達自研的記憶體控制器做進底座。

消息層級：據首爾經濟引述業界人士，待輝達與三星官方確認。截至 10 月 19 日，兩家都沒有證實，也沒有否認。

接下來的驗證點有三個：SK 海力士預定 10 月 27 日公布的第三季財報、三星預定 10 月 29 日舉行的第三季法說，以及台積電與美光下一次揭露有沒有寫出底座的代工方與節點。

三家公司自己的文件：SK 海力士寫台積電，美光寫晶圓代工，三星寫自家 4 奈米

SK 海力士 2024 年與台積電簽 HBM4 備忘錄時就寫明，HBM3E 以前的底座用自家技術，HBM4 計畫改用台積電先進邏輯製程。把首爾經濟的報導放回三家公司自己的文件，變化落在哪一家就看得出來：

這張表是我判斷變化集中在三星的依據。照首爾經濟的寫法，輝達要三家把底座統一交台積電；但 SK 海力士自 HBM4、美光自 HBM4E 起，公司文件已把底座放在台積電或晶圓代工製程，落到實處需要改的主要是三星。首爾經濟寫這是三星首次在 HBM 製造階段與台積電合作；放到整個記憶體業，SK 海力士的 HBM4 底座早已在台積電。

三家的公司文件都沒有寫到 NVHBM 底座的節點，也沒有一家寫到 3 奈米；截至 10 月 19 日，三家底座的「3 奈米」只出現在媒體報導裡。韓媒 3 月也曾轉述台積電說客製 HBM4E 起用 3 奈米，這句沒有對回台積電原文。

社群上還有比原報導更強的版本。X 上一則轉述這則新聞的貼文，把 SK 海力士與美光寫成已用台積電 3 奈米底座。首爾經濟寫的是輝達「要求」；SK 海力士這一半，韓媒只寫到計畫、據傳檢討與業界看法；美光的公司文件沒有節點。「已採用」是轉述時加強的說法。

輝達要的是一套多家記憶體廠都能供應的標準 NVHBM

輝達公布 NVHBM 時，以標準 HBM4E 為比較基準。它屬於 NVLink Fusion 產品線，輝達經這條產品線把底座上的記憶體控制器提供給加速器客戶。輝達寫的效益有三項：頻寬最多高 30%，HBM 功耗低 15%，運算晶粒最多空出 25% 面積。這些都是公司自己寫的數字，頻寬與面積是上限，也都沒有揭露測試條件。

輝達要的是標準化，也就是建立一套多家記憶體廠都能供應的標準 NVHBM，降低跨供應商整合與驗證的工程量。第一家投入的加速器客戶是亞馬遜的 Annapurna Labs。美光的法說準備稿也寫，正與輝達合作業界首個客製 HBM4E 實作，也就是 NVHBM。

輝達的官方文件沒有寫底座由誰製造、用什麼節點，也沒有點名三星、SK 海力士或美光。把 NVHBM 底座跟台積電 3 奈米連在一起的，是首爾經濟的報導。

首爾經濟比一個月前的韓媒多走一步：寫成三星已決定接受

首爾經濟把這則獨家登在紙本頭版，同一天另有一篇後續稿。消息層級是「據業界」與一名匿名業界人士，全文沒有公司具名回應。報導寫到的內容，跟官方目前的說法並排如下：

報導沒有量產時程、數量，也沒有合約內容。後續稿另引業界估計，台積電 3 奈米良率在 90% 以上、三星 2 奈米約 60%，用來解釋輝達為什麼統一到台積電；這兩個數字沒有指明產品、晶粒面積與期間，台積電與三星都沒有揭露。

這不是韓媒第一次寫三星與台積電的底座合作。一個月前，一家韓媒引知情人士說，三星計畫依客戶要求，把 NVHBM 底座以自家晶圓代工與台積電雙軌運用，比重看最終客戶需求；另一家韓媒引業界說，三星把台積電製程列為客製 HBM 底座的選項，與特定客戶的合約未定。兩篇寫的是當時的狀態，不構成否認。首爾經濟往前多走的一步，是把雙軌與選項寫成三星已經決定接受。

台積電 3 奈米夠不夠：公司點名吃緊的是先進封裝，3 奈米還在擴產

台積電 3 奈米夠不夠，關係到三星那條備案用不用得上：報導裡，三星把 NVHBM 底座量拉回自家的路徑，是先驗證能否自家生產，以備需求超過台積電產能。

台積電 2026 年第三季 3 奈米占晶圓營收 33%，取代 5 奈米成為最大製程；第二季是 30%。這是占晶圓營收的比重，分母跟全公司營收不同。

擴產這一側，台積電說得很明確。魏哲家在 10 月法說說，公司原本不替已達目標產能的節點加產能，但正在全球新增 3 座 3 奈米廠。第一座是台南新廠，2027 年上半年量產；亞利桑那與日本的新廠在 2027 到 2028 年陸續量產。因為客戶需求強，台南再加 1 座，2028 年上半年量產；台南也持續把 5 奈米機台轉成 3 奈米產能。

吃緊的說法有好幾種，出處與層級各不相同：

台積電第二季法說沒有出現 3 奈米滿載、賣光或排擠客戶的說法，第三季法說也沒有提 3 奈米分給哪類產品。

我的判斷是，NVHBM 底座量放大時，台積電自己點名的約束是 7 月講的先進封裝。對晶圓供給，10 月只說整體缺口仍大，沒有專指 3 奈米，也沒有配給的說法；3 奈米則有擴產計畫。「3 奈米配給到頂」出自一名匿名業界人士，「只有三星能接下溢出」只是一則個人推論。

時間上，NVHBM 以 HBM4E 為基礎，美光說 HBM4E 預計 2027 年放量；台積電第一批新的 3 奈米產能也在 2027 年開出。如果 3 奈米真的不夠，壓力會落在 2027 年上半年台南新廠量產之前；之後要看新產能怎麼分配，而台積電不揭露分配。

台積電：HBM 多一層晶圓營收，方向明確，金額未知

對台積電，傳導路徑最直接：底座從記憶體廠的自家製程搬到先進邏輯製程，HBM 這個產品就多了一層由台積電製造的晶圓。報導若成立，原本 HBM4E 底座用自家 4 奈米的三星，NVHBM 底座也交給台積電。