PCB、HLC、HDI、BT、ABF 差在哪：先分系統板與載板，主流 ABF 載板的中間是一塊玻纖核心

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我的判斷是，這五個名詞裡最需要拆開看的是 ABF 與 BT 的關係：一片主流的 ABF 載板，上下疊的 ABF 增層膜屬於無纖維材料，中間卻是一塊玻纖強化的銅箔基板，三菱瓦斯化學還把自家的 BT 銅箔基板推為次世代高效能晶片用覆晶載板 FC-BGA 的中心核心材料，所以 ABF 與 BT 可以出現在同一片載板上。依據是三份一手文件：Intel 專利把 ABF 歸為無纖維增層材料，IBM 專利寫這類載板的典型核心是約 200 到 800 µm 厚的玻纖布強化樹脂，三菱瓦斯 2024 年的說明會簡報則把 BT 材料在這類封裝的用途寫成電腦 CPU、GPU。

分辨這五個名詞，先問兩件事：它在系統板還是載板，它講的是結構還是材料。晶片先封在 IC 載板上，載板再接到系統板；PCB 在本文指系統板，HLC 與 HDI 主要是系統板的兩種結構，前者靠增加層數擴充布線，後者靠雷射微孔與增層提高密度；BT 與 ABF 則是 IC 載板的兩種絕緣材料。

層數也要先問是哪一層。依單一份二手的供應鏈拆解，GB300 三塊具名的系統板是 18 到 22 層，SemiAnalysis 寫次世代 ABF 載板最多到 20 到 24 層，只看「二十幾層」分不出講的是哪一層。

兩層上下疊：晶片先封在 IC 載板上，載板再接到系統板

電路板依用途可以先分成兩層。高盛的光通訊報告把 AI 運算與交換節點由上到下拆成三層：封裝層、IC 載板層與系統板層，晶片與光引擎封在載板上，載板再裝到系統板；這跟「系統板、載板」兩大類是同一件事的粗細兩種切法，差在封裝另列一層。

載板廠 AT&S 的說法是，IC 載板是晶片與印刷電路板之間的連接平台，把晶片的奈米級結構「轉譯」到裝有記憶體、電源與其他系統元件的電路板；載板的結構遠比 PCB 細，材料與製程也不同。系統板則負責承載電子元件、讓元件互相連通，華通官網把電路板定義為「承載各電子元件及元件間訊息傳遞之媒介」，產品線列一般多層板、HDI、高層次板 HLC、軟板與軟硬板。

晶片模組怎麼接上系統板，依供應鏈拆解，GB300 的 CPU 直接以表面黏著焊在 UBB 上，GPU 則經 OAM 模組走插槽。

這張表的分類軸有兩條：HLC、HDI 講板子的結構，BT、ABF 講絕緣材料。所以只能說前兩者主要處理系統板的布線，後兩者主要處理晶片封裝的連接，兩邊的技術有交集：高分子產業顧問 Gotro 2018 年舉的覆晶載板例子就用 2+4+2 的 HDI 寫法，欣興的全層互連 HDI 標示類載板技術，系統板本身也有銅箔基板的材料等級。

系統板與高多層板：IPC 按結構分板型，層數沒有標準門檻

系統板的分類有標準可查，硬板、軟板與 HDI 各有規範，設計標準也是同一個家族。硬板規範的板型依結構劃分，公開預覽沒有用層數界定高多層板：

HLC 是高層數的多層板，華通官網叫它高層次板，定位在高階電腦與網路通訊，重點是訊號完整性與嚴格的特性阻抗控制。層數的數字多半是廠商能力：欣興的多層板產品頁寫可做 2 到 68 層，TTM 官網寫傳統板可以是任何層數，多層設計最高 60 層以上，TTM 管理層在 2026 年第一季法說會則說可做 80 到 140 層。這三組數字是各家的能力上限，TTM 官網與法說的口徑也不同，都不是業界定義。

層數多了，難處有兩種。第一種在製程：依一支產業科普影片的整理，多層板的內層要逐層裁切銅箔基板、曝光、顯影蝕刻、檢測，再對位、壓合、鑽孔，層數越高，任一層短路或斷路就整片報廢。

第二種在高速訊號：TTM 寫高層數板需要高性能材料、阻抗控制與背鑽。材料這邊，低損耗銅箔基板依損耗分等級，M4、M6、M8、M9 是源自 Panasonic 產品命名的業界代稱，數字越高介電損耗越低；等級可以只用在部分層，依供應鏈拆解，GB300 的 UBB 是 14 層 M8 搭 4 層 M4。

背鑽處理的是通孔的殘段。通孔延伸過最後一個連接層的那一截叫殘段，Sanmina-SCI 的技術簡介寫，殘段會造成反射與阻抗不連續，速度越高問題越關鍵；背鑽用控深鑽孔把它移除，可降低確定性抖動與誤碼率。TTM 的背鑽指引寫，背鑽過去主要用在背板，訊號要求提高後也用在主動板，能力表的殘段長度標稱 0.007 吋、公差 ±0.005 吋，背鑽後仍會留一小段。

另一種做法是電鍍盲孔，讓殘段根本不形成，但受電鍍能力限制，深寬比最多 1:1，厚板可以和背鑽併用。

HDI：IPC-2226A 分六型，微孔門檻另依 IPC-T-50M，和高層數是兩條可並存的軸

HDI 有自己的設計標準。IPC-2226A 規範 HDI 印刷板與結構的設計，用於元件安裝與互連；它以 HDI 層的數量與位置命名，可與核心板 [C] 結合，例如核心一側兩層、另一側一層記為 2 [C] 1，共分六型，從核心單側或兩側各一層 HDI 的第一、二型，到以層對構成的無核心結構第五型。業界常見的 1+N+1、3+n+3 是同一概念的通俗寫法。

微孔的門檻依 PCB 供應商 NCAB 轉述 IPC-T-50M：微孔是盲孔結構，深寬比最大 1:1，總深度不超過 0.25 mm。板廠的寫法更具體：TTM 描述 HDI 板具雷射微孔、增層壓合、細線路與高性能薄材料，讓單位面積容納更多功能，雷射微孔直徑可小到 0.004 吋、約 100 µm；腳距 0.8 mm 以下的 BGA 用微孔扇出，0.4、0.3、0.25 mm 腳距要用疊孔。對照 TTM 把傳統板寫成單次壓合、層數不限，HDI 與傳統多層板的差別落在結構與製程。

HDI 的主場在小空間裡裝很多元件的產品。欣興 HDI 產品頁寫它適合腳距較小、腳數較多的 BGA，支援 0.3 mm 腳距，應用從智慧型手機、平板、筆電、車用到穿戴裝置與光模塊；華通把 HDI 列為高階平板電腦與智慧型手機的主要零組件。TTM 的 HDI 應用清單則以 5G、網通、物聯網、醫療穿戴、自駕與軍用為主，沒有列手機筆電；這些清單是產品應用，不代表營收比重。

AI 伺服器也在用 HDI，而且和高層數接在同一條產品線。欣興多層板產品頁寫「產品設計可接合高密度與高層數的技術 (HDI + HLC)」，應用列高階伺服器與 AI 加速產品 OAM、UBB，頁面沒有指明哪一塊板採用兩者的組合；標準這邊，硬板規範的含盲埋孔多層板本來就可以含微孔。高層數與 HDI 因此是兩條可以並存的軸，HDI 沒有排在高多層板之上的另一級。

高盛也把兩者當成平行的規格軸：多層板看層數，分 20 層以下、20 到 30 層、30 層以上三段，HDI 看階數，分 4+N+4、5+N+5、6+N+6 以上三段，兩條軸的市場規模拆解見〈一台 AI 伺服器有哪幾種板〉。

層數要先問是哪一層：GB300 系統板 18 到 22 層，次世代 ABF 載板最多到 20 到 24 層

系統板與載板都講「層」，數字還會重疊。依 Global Tech Research 在 Substack 的供應鏈拆解，GB300 三塊系統板是 18 到 22 層，三塊都標電鍍通孔；載板這邊，SemiAnalysis 寫次世代 ASIC、GPU 用的 ABF 載板層數最多到 20 到 24 層。只看「二十幾層」，分不出講的是系統板還是載板。

中板 78 層以上是高盛對 Rubin Ultra 世代單一塊板的推論，SemiAnalysis 另稱這塊中板可能因可製造性延到 2028 年，它不能代表整台伺服器的平均層數。分類也不靠層數：硬板規範的板型依結構劃分，TTM 的傳統板可以是任何層數。看到層數，要連同所在層級與具名的板一起看，系統板的層數對到具名的板，載板的層數對到晶片世代。

IC 載板的工作：把晶片端百微米級的凸塊間距，轉成板端 0.4 到 1.0 mm 的錫球間距

載板的核心工作，是把晶片的細間距接點轉成電路板接得上的間距。Amkor 的 FC-BGA 產品頁同時列兩端：晶片端最小陣列凸塊間距 90 µm，周邊凸塊可以更小，板端的錫球間距選項是 0.4、0.5、0.65、0.8、1.0 mm，兩端差約一個數量級。

為什麼需要這一層，AT&S 的解釋是數萬個晶片接點擠在極小面積，才需要最高佈線密度的增層載板。一篇 2004 年的 IPC 技術論文寫，BGA 載板以金屬線路把晶片接到底面規則排列的接點陣列，再以錫球接到主機板，電源、接地與時脈線也可以做在載板內；味之素官網的說法是，CPU 需要多層微線路構成的增層載板，把奈米級的晶片端子接到毫米級的元件。

晶片端的凸塊間距要分種類講，而且廠商公布的多是最小值。

整理起來，覆晶凸塊間距約 30 到 200 µm，要分種類：C4 焊料凸塊 150 到 200 µm，FC-BGA 陣列凸塊最小約 90 到 100 µm，銅柱 30 到 50 µm 起，晶片之間的微凸塊 36 到 55 µm。Intel 第一代銅對銅混合鍵合的間距到 9 µm，屬於另一種接法，不算在凸塊裡。

板端的錫球間距常見落在 0.4 到 1 mm，兩端都有例外。JEDEC 設計指引 4.27 的標題列 0.65、0.75、0.80 mm 球距，TI 的封裝指南列 0.80 與 1.00 mm，AMD 太空級 FPGA 的 45 mm 大封裝用 0.92 mm；往下，Amkor 的小型覆晶封裝可到 0.3 mm；往上，依前述 2004 年論文的轉述，JEDEC 第一組 BGA 標準含 1.50、1.27、1.00 mm 三種球距。

南電的年報是一個要小心的例子。南電 FY2025 年報寫 ABF 載板研發「80μm 錫球間距」技術，沒有說明是晶片端還是板端；這個數字和 Amkor 最小陣列凸塊間距 90 µm、京瓷最小覆晶間距 100 µm 同一個數量級，比板端的錫球間距小一個數量級。中文的「錫球」兩端都用，看到這類數字，先判斷講的是哪一端，再拿來比較。

載板也承擔訊號與電源的分配，熱的問題則要和核心一起看。Brown 的微電子封裝教科書把晶片、焊點與基板之間的熱膨脹不匹配，列為覆晶焊點疲勞的挑戰；台積電的專利寫，封裝載板偏薄容易在熱製程翹曲，慣用解法是低熱膨脹係數的核心板。保護晶片則是封裝整體的功能，同一本教科書列的封裝四項功能包括電路的支撐與保護。

BT 與 ABF 的來歷：一個是 1976 年開發的積層樹脂，一個是 1999 年量產的增層膜

有機載板的兩大材料平台是 BT 與 ABF，欣興、景碩都同時做 ABF 與 BT 載板。BT 來自三菱瓦斯化學：BT 樹脂主要由雙馬來醯亞胺與三嗪構成，三菱瓦斯 1976 年開發，官網說 1985 年 BT 成為第一種用於晶片封裝的樹脂積層材料；當時高效能晶片多用高成本的陶瓷載板，BT 以較低成本提供相當的熱與電氣特性。1998 年 BT 積層材料取得 BGA 用認證，出貨量增加。

形態上，BT 積層材料是把玻纖布或其他基材含浸樹脂、乾燥後壓合而成，以銅箔基板與預浸材成對供應。三菱瓦斯列的強項是耐熱、低翹曲、高電氣絕緣，以及較低的介電常數與散逸因子，這些都是原廠自述。

BT 的用途從記憶體、手機一路延伸到電腦 CPU、GPU。三菱瓦斯產品頁列的採用例包括應用處理器、基頻、電源管理晶片、DRAM、快閃記憶體、功率放大器、RF 模組、車用電子控制單元與各類感測器，高 Tg 型號另列 GPU；2024 年說明會簡報按封裝結構拆，打線與薄型覆晶封裝主要用於手機處理器、RF 模組與記憶體，FC-BGA 主要用於電腦 CPU、GPU，成長以筆電 CPU 為中心。簡報另外註明，市場上講「BT」有時泛指載板材料，不一定是三菱瓦斯的產品。這些是原廠列舉，不是出貨比重；BT 當年以較低成本取代陶瓷，它和 ABF 的成本高低沒有同口徑資料。

ABF 來自味之素。味之素 2020 年的官網故事寫，1996 年一家 CPU 製造商找上門，請它用胺基酸技術開發薄膜型絕緣材料，1999 年 ABF 經引介給最大的 CPU 製造商；子公司味之素精密技術的沿革寫 1999 年開始生產 ABF，所以 ABF 是 1990 年代末推出、1999 年量產的材料。它的配方是有機環氧樹脂、硬化劑與無機微粒填料做成的熱固型薄膜，產品是支撐膜、ABF 樹脂與保護膜三層；味之素 2023 年的事業說明會簡報把 ABF 定位為增層載板各層之間的絕緣材料，圖示單層約 10 µm。

ABF 適合做細線路，靠的是製程。味之素官網寫 ABF 表面可接受雷射加工與直接鍍銅，能形成微米級線路；味之素作者 2011 年的論文描述半加成法的步驟：ABF 壓合固化、雷射成孔、除膠渣並粗化表面、化學鍍銅種子層後電鍍加厚，並寫要做線寬線距 15/15 µm 以下的細線，需要較平滑的表面。味之素 2019 年簡報的示意圖標線寬線距 10/10 µm；Intel 專利寫 ABF 與含玻纖布的增層材料可做約 5/5 µm 的線寬線距，銅厚 8 µm，傳統預浸材約 14/18 µm，銅厚 15 µm。這些是示意或專利舉例，不是量產保證。

一片 ABF 載板拆開看：上下是 ABF 增層，中間是玻纖強化核心，核心可以是 BT 系

「ABF 載板」這個名稱講的是增層用的膜，載板中間還有一塊核心。味之素 2019 年簡報的增層結構圖，中間標的是核心材料，上下才是增層；IBM 專利的背景段寫，採增層技術的典型 FC-BGA 載板，以約 200 到 800 µm 厚的玻纖布強化樹脂作中間核心，兩面同步增層，核心帶來高模數與低熱膨脹係數、抑制翹曲，代價是鑽孔大、厚度高。

Resonac 一款銅箔基板的產品頁，用途寫 FC-BGA 與增層結構的中心核心，搭配的預浸材規格表有玻纖布欄；Resonac 2025 年 2 月的新聞稿也寫，銅箔基板是載板的核心材料，由樹脂與玻纖布等多種材料組成。

核心可以是 BT 系。三菱瓦斯 2024 年的說明會簡報，把 BT 銅箔基板 HL832RS 推為 FC-BGA 用的次世代低翹曲材料，圖示是銅箔基板居中、上下為增層材料；高分子產業顧問 Gotro 2018 年的文章舉一片覆晶載板為例，先做 4 層 BT 玻纖核心，再上下增層，上方可以用 ABF。

我的判斷是，「ABF 載板」與「BT 載板」的分界落在增層膜與封裝形式，一片 ABF 載板的核心可以是 BT 系，所以 ABF 與 BT 不互斥；BT 也不只用在低階封裝，三菱瓦斯簡報裡 BT 材料在這類封裝的用途就是電腦 CPU、GPU。這是幾份文件合起來的判斷：原廠沒有一句話同時寫 ABF 增層與 BT 核心，三菱瓦斯也賣自家的增層材料，Resonac 那款銅箔基板的頁面沒寫樹脂系，所以只能說核心可以是 BT 系，不能說每片都是。

ABF 這邊有兩個例外要分開。第一，ABF 膜一般不含玻纖布，但同一份 Intel 專利另把味之素生產的兩款增層材料列為含玻纖布的型號，所以「不含玻纖」講的是一般的 ABF 膜，不能套到味之素所有的增層材料。第二，無核心載板拿掉了核心，不等於全板沒有玻纖：新光電氣有覆晶用與手機記憶體用兩條無核心產品線，IBM 專利寫無核心的佈線密度較高、代價是少了核心的機械強度；三菱瓦斯則有多個 BT 預浸材系列標明適合無核心製程，採用例是應用處理器與行動 DRAM。

材料供應也看得出 ABF 載板用到玻纖布。元大的供應鏈訪查寫，低熱膨脹玻纖布 T-glass 是高階 AI ABF 載板與高階 BT 載板的重要原料，由日東紡供應，Resonac 是 ABF 載板銅箔基板的主要供應商，三菱瓦斯是 BT 載板銅箔基板的主要供應商；SemiAnalysis 2026 年 8 月的貼文也寫，T-glass 厚料主要用於 ABF 載板、薄料主要用於 BT 載板。

研發中的玻璃核心，是把核心層換成整片玻璃、上下仍是 ABF 增層，這是郭明錤對台積電外流簡報的解析；這裡的玻璃是整片玻璃板，和銅箔基板裡的玻纖布是兩種東西。景碩年報自評玻璃載板未來 3 到 5 年間可能部分商品化，年報寫的用途是 RF 或光學模組，或部分取代中介層；欣興年報把高效能運算用的高強度玻璃核心基板排在 FY2026 研發計畫，全鏈與時程見〈GPU 腳下那塊載板〉。

用五個名詞讀財報：欣興同時做系統板與載板，景碩、南電的載板分法不同

名詞分清楚之後，可以直接拿來拆公司的營收。產業這端的變量，是 AI 晶片把 ABF 載板推向更多層、更大尺寸：元大的規格曲線從個人電腦處理器約 37.5×37.5 mm、8 到 10 層的載板，走到 AI GPU 的 55×55 或 58×58 mm、多落在 12 層，交換器晶片載板再到 24 層；系統板這端，欣興的多層板產品線把 HDI 與高層數接在一起，應用寫到 AI 加速產品。

欣興是五個名詞都對得上的公司。依凱基、元大轉述的 2026 年第二季法說，技術別營收占比是 ABF 載板 52%、HDI 27%、BT 載板 9%、傳統 PCB 9%、軟板 2%、其他 1%：ABF 載板與 BT 載板屬於 IC 載板層，HDI、傳統 PCB 與軟板屬於系統板層，其中軟板是依可撓性分出來的一類。同一季的法說簡報按產品平台寫營收，ABF 季增 22%、年增 51%，BT 季減 3%、年減 4%。ABF 載板是欣興最大的一塊，第二大塊是系統板的 HDI；看欣興的消息，先分清楚講的是哪一塊業務。

景碩的營收集中在載板。依媒體轉寫的法說，2025 年第四季產品組合是 ABF 46%、BT 36%、晶碩 18%，年報只分載板與光學兩個部門；景碩 FY2025 年報談 ABF 載板時，把厚核心層與薄核心層兩種製程分開寫，對應前面講的 ABF 載板中間那塊核心。

南電的年報用另一套命名：IC 載板依製程分 PP 載板與 ABF 載板，前者用於打線與覆晶封裝，含堆疊式封裝、GPU 電源管理晶片、顯示驅動與固態硬碟控制晶片，後者著重高層數與超大尺寸。南電沒有用「BT」這個詞，它的 PP 載板不能直接改寫成 BT 載板。

這三家的下一個驗證點，都在下一次的法說與年報：欣興、景碩的技術別營收裡 ABF 與 BT 各占多少、各自季增減多少，用系統板與載板兩層對照，就分得出變化落在哪一層；欣興 FY2026 研發計畫裡的玻璃核心基板，有沒有寫出下一步；南電年報的「80μm 錫球間距」，講的是晶片端還是板端。

為什麼這對散戶重要

看到這五個名詞，或是一則講電路板的新聞，可以照三個問題判斷。

1. 它在哪一層。 系統板是承載元件的主板，IC 載板是晶片封裝裡的那一片；「二十幾層」可能是 GB300 的系統板，也可能是次世代 ABF 載板，層數要對到具名的板與晶片世代，中板 78 層以上是高盛對單一塊板的推論。 2. 它講結構還是材料。 HLC、HDI 是結構，高層數與 HDI 可以在同一條產品線並存；BT、ABF 是材料，一片主流 ABF 載板的中間是玻纖強化核心，核心可以是 BT 系，BT 材料也用在電腦 CPU、GPU 的 FC-BGA。系統板也有材料這條軸，就是銅箔基板的損耗等級。 3. 公司的營收切在哪。 欣興的技術別營收同時有載板與系統板，ABF 載板占 52%；南電用 PP 載板與 ABF 載板命名；看公司消息時，先對到正確的業務線，再看數字。

把研究接到下一次觀察

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讀完研究後，先核對欣興目前的趨勢與觀察區，再對照下一次法說的技術別營收裡 ABF 與 BT 載板各占多少。

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⚠️風險與注意事項

🧭研究結論與追蹤框架

我的判斷是，分辨 PCB、HLC、HDI、BT、ABF，先問在系統板還是載板，再問是結構還是材料；最值得記住的一點是，主流 ABF 載板上下是無纖維的 ABF 增層，中間是玻纖強化核心，三菱瓦斯把 BT 銅箔基板推為次世代 FC-BGA 的中心核心材料，所以 ABF 與 BT 能在同一片載板上，BT 材料也進到電腦 CPU、GPU 的這類封裝。接下來值得追的三件事：

• 載板核心材料的揭露：載板廠或材料廠下一次寫出 AI 用 ABF 載板的核心樹脂系與比重，決定「核心可以是 BT 系」能不能進一步寫成多數做法。
• 欣興、景碩的技術別營收：下一次法說的 ABF 載板、BT 載板、HDI 各占多少與季增減，用系統板與載板兩層對照，就分得出變化落在哪一層。
• 新世代的具名層數：Rubin 世代各塊系統板與中板的層數，若有輝達或板廠的一手文件，可以替換目前來自 Substack 與高盛推論的數字。

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延伸閱讀

• 一台 AI 伺服器有哪幾種板：系統板依用途拆成七類，以及層數、HDI 階數與材料等級的市場規模。
• GPU 腳下那塊載板：從味之素一卷膜，到玻璃核下一站：ABF 載板全鏈與玻璃核心的時程。

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📚來源與參考

第一級公司官方與主要文件

• 三菱瓦斯化學 BT 樹脂技術頁（；三菱瓦斯化學 BT 材料產品頁；三菱瓦斯化學電子材料事業說明會簡報，2024-10-02。）
• 味之素 ABF 創新頁（；味之素 ABF 開發故事，2020-05；味之素 ABF 訪談，2026-03；味之素 ICT 事業說明會簡報，2023-06-13；味之素電子材料簡報，2019-06-12；味之素作者 ABF 半加成法論文，J-STAGE，2011。）
• 味之素精密技術 ABF 產品頁（；味之素精密技術沿革。）
• Resonac MCL-E-795G 產品頁（；Resonac 載板核心材料新聞稿，2025-02-12。）
• Intel 專利 US11664313B2（2023-05-30 公告；Intel 先進封裝技術手冊第 6 冊；Intel Architecture Day 2021 資料。）
• IBM 專利 US8841209B2（2014-09-23 公告；IBM C4NP 論文摘要，2008。）
• 新光電氣載板產品型錄（。）
• Amkor：FC-BGA、FC-CSP、銅柱凸塊。
• 京瓷：FC-BGA 載板；京瓷歐洲 FC-BGA 型錄，2024。
• JEDEC JEP95 Section 4 目錄（；TI FC-BGA 指南 SPRU811A，2005；AMD XQR Versal 產品簡介。）
• AT&S：微米尺度的創新，2020；IC 載板產品頁。
• IPC 標準目錄預覽：IPC-2226A、IPC-6012D、IPC-6013D、IPC-2221B。
• TTM：HDI 板、資料中心運算能力、傳統 PCB、背鑽技術指引；TTM 2026 年第一季法說會。
• Sanmina-SCI 背鑽與盲埋孔技術簡介（2010。）
• 欣興產品介紹（：HDI、多層板與全層互連 HDI 產品頁；欣興 2026 年第二季法說會簡報；欣興 FY2025 股東會年報。）
• 華通產品介紹（：印刷電路板、高密度電路板與高層次板頁。）
• 景碩 FY2025 年報；南電 FY2025 年報；Panasonic 銅箔基板產品頁。

第二級產業研究與專業資料

• NCAB 微孔說明（。）
• Polymer Innovation Blog，Jeffrey Gotro 覆晶載板文章（2018-04-09。）
• Solberg，IPC APEX 2004 技術論文（。）
• Brown，微電子封裝教科書第 1 章樣章（Wiley-IEEE Press。）
• FormFactor HBM 測試簡報（2016。）
• 高盛 AI 伺服器 PCB 與銅箔基板報告，2026-08-05；高盛光通訊報告，2026-04-17。
• 元大投顧欣興報告，2026-07-30；凱基投顧欣興 2026 年第二季法說會摘要，2026-07-29；景碩 2026-03-10 法說會媒體轉寫。
• SemiAnalysis ABF 載板公開貼文，2026-08-27；SemiAnalysis 對 Kyber 中板可製造性的分析。
• Global Tech Research，Substack，GB300 供應鏈拆解，2026 年第一季。
• 郭明錤對台積電玻璃核心載板外流簡報的解析，2026-06-18。
• 多層板製程產業科普影片，作者未具名。