DRAM 是動態隨機存取記憶體 Dynamic Random Access Memory 的縮寫,用來暫放處理器正在使用的程式與資料,個人電腦、手機與伺服器都用它當工作記憶體12。它把每個位元存成一個小電容裡的電荷,電荷會慢慢漏掉,所以要定期刷新;一旦斷電,資料就留不住1。名稱裡的「動態」,就是指資料要靠不斷刷新維持。
一個位元怎麼存:一個電晶體加一個電容
典型的 DRAM 記憶單元只有兩個元件,一個電晶體和一個電容12。電容存有足夠電荷代表 1,沒有代表 0。電晶體是開關,閘極接字元線,一端接位元線,另一端接電容。寫入時,字元線打開開關,位元線替電容充電或放電。
大量記憶單元排成棋盤狀的陣列,橫向的字元線和縱向的位元線交會處就是一個單元。

讀取比較麻煩。電容很小,開關打開時流到位元線的電荷只造成微小的電壓變化,要靠位元線末端的感測放大器判讀並放大成 1 或 0。讀取會改變電容原本的電荷,所以讀完要寫回。
為什麼要刷新,斷電後資料還在嗎
電容會漏電,存進去的電荷隨時間流失,DRAM 因此要週期性刷新1。刷新由記憶體控制器發動,定時把每一列資料讀出、經感測放大器放大,再寫回電容,把電荷補足。刷新時那部分陣列暫停一般讀寫,也要耗電。刷新間隔依產品與溫度等工作條件而定。
可以把它想成用會褪色的墨水寫便條,每隔一段時間照原字再描一次。回到實物,描字的是晶片裡的電路,一次處理一整列;只要在電荷漏光前補上,資料就一直在。

DRAM 屬於揮發性記憶體,失去供電就無法保留原有資料1。道理和刷新一樣:斷電後刷新停止,電荷漏光,資料跟著消失。要長期保存的檔案,因此放在快閃記憶體這類斷電不消失的儲存裡。
DRAM 和 SRAM 怎麼分工
RAM 是隨機存取記憶體的統稱,DRAM 和 SRAM 都屬於這一類1。SRAM 是靜態隨機存取記憶體,每個位元用好幾個電晶體組成鎖存電路,有供電就保持狀態,不必刷新,存取也較快,代價是每個位元占的面積大得多。DRAM 每個位元只要一個電晶體加一個電容,同一片矽能放的位元多很多。
| DRAM | SRAM | |
|---|---|---|
| 每個位元 | 一個電晶體加一個電容 | 好幾個電晶體組成的鎖存電路 |
| 要不要刷新 | 要,電荷會漏 | 不用,有供電就保持 |
| 同樣面積能放的位元 | 多 | 少 |
| 斷電後 | 資料消失 | 資料消失 |
| 常見位置 | 處理器外的主記憶體、GPU 旁的 HBM | 處理器晶片裡的快取 |
所以處理器晶片裡的小容量快取用 SRAM,容量大的工作記憶體用 DRAM,放在處理器外面。GPU 也是這樣分,晶片上用 SRAM 當快取,模型權重放在晶粒外的 HBM;Groq 為 AI 推論設計的語言處理器反過來用 SRAM 當主記憶體,換取低延遲,代價是 SRAM 貴、密度低,裝得下的資料遠少於 HBM3。
DRAM 只在電腦的記憶體條裡嗎
不只。DRAM 用在個人電腦、行動裝置與伺服器12,依用途分成 DDR、LPDDR、GDDR 和 HBM 幾條產品路線2。DDR 是雙倍資料率,在時脈訊號上升與下降時都傳資料,電腦和伺服器的主記憶體用它;LPDDR 是低功耗版,常見於手機與筆電;GDDR 為顯示卡這類需要高頻寬的用途設計;後面的數字代表世代。HBM 是把多層 DRAM 晶粒疊起來、和 GPU 封在一起的版本4,在 AI 伺服器裡和接在 CPU 的 DDR5 主記憶體分開5。這幾種的介面與封裝不同,不能互換。
記憶體條只是其中一種形式,把多顆 DRAM 晶片焊在小電路板上,插進主機板插槽。手機則把 DRAM 直接焊在主機板上,或和處理器疊在同一個封裝裡。
車上也有 DRAM。美光 2026 會計年度年報把 GDDR6 列為車用及嵌入式事業部的主要產品之一,據美國電動車媒體報導,特斯拉現行的自駕電腦 AI4 就用 GDDR66。
為什麼 DRAM 現在常上新聞
AI 加速器為了不讓運算單元空等,一代比一代配更多 HBM7;需求升溫下,依美光 2026 會計年度第三季法說,它已和客戶簽下照付不議的策略客戶協議7。DRAM 的供給另受兩個機制牽制。
第一是 HBM 占走 DRAM 晶圓。依 TrendForce 的預估,HBM 占 DRAM 晶圓投片的比重到 2027 年還會繼續升高7。依美光的說法,同樣容量的 HBM 約需 DDR5 三倍的晶圓面積8。兩者合起來,一片晶圓轉去做 HBM,產出的位元比做 DDR5 少,電腦、手機與伺服器主機用的標準型 DRAM 就被排擠7。
第二是微縮越來越慢。單元縮小,電容的平面面積跟著變小,但電荷太少感測放大器就讀不出來,電容只好往上做高、往下挖深,變成又細又高的柱子或深孔。依 SemiAnalysis 的分析,DRAM 過去十年位元密度只成長約 2 倍,更早每十年約 100 倍9。微縮擠出的位元有限,供給要明顯增加得等新廠;依美光 2026 年 9 月的法說稿,愛達荷第一座新廠預期 2027 年年中開始產出6。
誰在做哪一段
三星、SK 海力士、美光是自己設計並製造 DRAM 的原廠,從伺服器用的 DDR5 到 GPU 旁的 HBM 都做57。依美光 2026 會計年度年報,多數 DRAM 在台灣生產。中國的長鑫存儲也生產 DRAM,依 SemiAnalysis,營收幾乎都來自標準型的 DDR 與 LPDDR。
- 台灣的 DRAM 廠:南亞科(2408)以 DRAM 為核心,自己研發、設計與製造,產品有標準型與低功耗 DRAM、記憶體模組及多晶片封裝,用在電腦、行動裝置、工業控制與車用電子。
- 名字相近的兩家:南亞(1303)經營塑膠、化學品與電子材料,南電(8046)做電路板與 IC 載板,本業都不是 DRAM。
- 特定應用的 DRAM 設計公司:晶豪科(3006)與鈺創(5351)都是沒有自有晶圓廠的 IC 設計公司。晶豪科的 DRAM 與低功耗 DRAM 用在車用、工業控制與物聯網,鈺創的專精型緩衝記憶體涵蓋 SDR、DDR 到 DDR4 與 LPDDR4/4X。
以上是各家做的環節,不等於已證實的訂單或獲利。
延伸閱讀
- AI 伺服器裡的兩種 DRAM:主機的 DDR5 和 GPU 旁的 HBM 接在哪裡、各自要確認哪些供貨條件,看〈DRAM 先分主機工作記憶體與 GPU 旁的 HBM〉一節。
- GPU 的記憶體為什麼會先撞牆:頻寬與容量兩道牆怎麼把需求推向 HBM,以及 HBM 占 DRAM 投片的比重怎麼追,看〈九、第二道牆:容量〉。
- 把 SRAM 當主記憶體會怎樣:Groq 語言處理器用 SRAM 換低延遲、付出容量代價,看〈語言處理器憑什麼快〉與〈機架規格〉兩節。
來源
- Samsung Semiconductor — DRAM,三星半導體官方 DRAM 介紹與常見問題,2026-10-28 核對。↩
- SK hynix — Evolutionary Memory,SK 海力士研究網站對 DRAM 與 NAND 的說明,2026-10-28 核對。↩
- Groq 語言處理器與 AFD 異構推論,Trend Core 免費頁,〈語言處理器憑什麼快〉。↩
- 為什麼 AI 的記憶體要疊起來,Trend Core 免費頁,導言與〈為什麼 AI 的記憶體要疊起來〉。↩
- 看懂 AI 供應鏈的六種交付條件,Trend Core 免費頁,〈DRAM 先分主機工作記憶體與 GPU 旁的 HBM〉。↩
- 特斯拉向美光要記憶體配額的追錢案例,Trend Core 免費頁,〈美光在替特斯拉留什麼位子?〉與〈別家也做得出來,特斯拉為什麼找美光?〉。↩
- 真正了解 GPU 怎麼運作,Trend Core 免費頁,〈八、換代之後什麼會變、什麼不會變〉與〈九、第二道牆:容量〉;頁內註明 TrendForce 投片比重經研究紀錄轉引,引用時以 TrendForce 原始出處為準。↩
- Astra 之後,記憶體缺貨該看什麼,Trend Core 付費研報,引用段落位在付費牆之前,〈十二層改八層若成真〉末段。↩
- 記憶體超級循環:景氣紅利與執行力,Trend Core 免費頁,2026-07-07 發布,〈景氣紅利是真的〉第四段,引述 SemiAnalysis 公開段。↩
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