EMIB 是英特爾的嵌入式多晶片互連橋接技術,英文全名 Embedded Multi-die Interconnect Bridge1。做法是在封裝基板上挖出凹槽,嵌進一小塊矽橋,並排的兩顆晶片就透過橋裡的多層細線互相連接1。當運算晶片要和另一顆運算晶片或高頻寬記憶體 HBM 放進同一個封裝,又要彼此大量交換資料時,EMIB 是英特爾提供的接法2。它屬於 2.5D 封裝,晶片在同一個平面上並排互連,有別於把晶片直接往上疊的 3D 堆疊1。
矽橋埋在哪裡
從上往下看,最上層是並排的晶粒,例如一顆運算晶粒旁邊放一顆 HBM。兩顆晶粒相鄰的交界正下方,有一小塊矽橋嵌在有機封裝基板的凹槽裡,兩端各伸到兩顆晶粒的邊緣底下1。這塊基板就是封裝載板。晶片底面用來和下方連接的小金屬接點叫凸塊。晶粒壓在橋上的那段邊緣,用排得很密的微凸塊接上橋;其他地方用較大、較疏的凸塊直接接基板1。英特爾已把 EMIB 微凸塊的間距從 55 微米縮到 45 微米3。
英特爾寫明,EMIB 支援邏輯晶粒之間互連,也支援邏輯晶粒和 HBM 互連2。邏輯晶粒指負責運算與控制的晶片,HBM 則是記憶體,所以橋不只連運算晶片。

EMIB 和整片中介層、CoWoS-L 差在哪
幾顆晶片並排又要大量交換資料時,常見做法是把它們一起放上一整片用晶圓製程做的中介層,在上面互連,面積要大到能放下所有晶片。
EMIB 換了一個思路。真正需要極細線路的,往往只有晶片相鄰的那一小段,所以只在那裡放矽,其餘交給載板的一般線路1。就像幾棟要往來的大樓,不先在底下鋪一整片架高平台,而是在相鄰處各架一座短橋。回到封裝裡,橋只負責晶片之間最密的那段連線,供電與其他佈線仍靠基板和凸塊一起設計1。
兩種做法各有取捨。整片中介層讓每顆晶片底下都有細線路可用;EMIB 少用一大片矽,矽橋、基板與上方晶片的接點則必須同時對準,封裝做得越大,基板的平整與對位越難。
嵌入矽橋不是英特爾獨有。台積電的 CoWoS-L 也用小矽橋,差別在橋住在哪裡:依付費產業分析的整理,CoWoS-L 的橋埋在重佈線層中介層裡,這層細線路薄層長在圓形晶圓上,晶片底下仍墊著整層中介層;EMIB 則把橋直接嵌進有機封裝基板,沒有晶圓當載體4。日月光投控(3711)的年度申報也列出 FOCoS-Bridge,同樣用嵌在重佈線層裡的小矽橋連接小晶片。EMIB 是英特爾這套做法的名稱。
EMIB 有沒有 TSV
要看哪一版。初代 EMIB 的矽橋沒有 TSV,EMIB-T 才把 TSV 加進橋裡,名稱裡的 T 就是 TSV15。TSV 是矽穿孔,也就是貫穿矽的垂直導電通道。
初代 EMIB 的橋擋在晶片和基板之間,橋正上方那段晶片的電要從橋旁繞過去;晶片用電瞬間變大時,路徑越長,電壓越容易往下掉。EMIB-T 在矽橋裡加入較粗的垂直銅 TSV,讓電從下方直接往上送進晶片,解決繞路供電造成的電壓驟降,也支援新一代的 HBM45。
EMIB-M 則在矽橋裡加入 MIM 電容,一種金屬夾著絕緣層的電容12。電容能在晶片用電突然變大時就近補電,幫助穩住電壓。

為什麼現在大家在談 EMIB
AI 加速器把更多晶粒和 HBM 塞進同一個封裝,封裝越做越大,台積電的先進封裝產能也吃緊6,市場因此多看一條路線。
EMIB 沒有晶圓當載體,封裝可以沿著矩形基板往大做4。依英特爾的路線圖,EMIB-T 的封裝目標在 2026 年做到微影單次曝光上限的 8 倍以上,也就是 8 倍光罩尺寸,2028 年 12 倍以上4。
英特爾 2026 年第二季法說的書面談話寫,客戶對 EMIB-T 的興趣持續非常高,在手訂單持續成長,良率與可靠度正在達標,目標是支援 2027 年的客戶放量7。
設計端也把它列入選項:聯發科(2454)同一季的書面法說,把 CoWoS 與 EMIB-T 並列為協助客戶開發超大尺寸特定用途晶片的封裝技術7。執行長蔡力行在 7 月 31 日法說問答被問到第二顆雲端特殊應用晶片與 EMIB-T,回答可假設 2028 年初早期量產8。2027 年是英特爾放量供應封裝服務,2028 年是客戶晶片早期量產,兩者不同。
依 DigiTimes 轉述欣興(3037) 2026 年 7 月法說,EMIB-T 和 CoWoS 的關鍵差異在於是否需要昂貴的中介層,價差最高可達四成到五成9。「最高」是區間上界,不是單一產品的實際成本。
誰在做 EMIB
英特爾是技術擁有者。EMIB 自 2017 年量產,累計出貨已逾百萬顆5;2026 年 6 月,英特爾把先進封裝與後段技術獨立成專責事業,量產目標點名 EMIB-T7。依英特爾晶圓代工官方部落格,亞馬遜 AWS 與思科是已用 EMIB 出貨晶片的外部客戶,官方沒有寫是哪一款產品10。組裝端,依付費產業分析,英特爾把 EMIB 組裝委外給 Amkor4。
載板端:
- 揖斐電:日本載板廠。依 2026 年 8 月說明會問答摘要,公司自述 EMIB-T 載板大致完成技術確立,即將進入量產良率改善階段,難點在矽橋接連接與核心成形。
- 欣興:做覆晶載板,外媒報導把它列為 EMIB-T 載板供應商之一。依科技新報轉述 2026 年 7 月法說,EMIB-T 專屬設備占欣興總資本支出不到 1.5%,多數仍是通用型設備8。
以上是各家做的環節,不等於已證實的訂單或獲利。
延伸閱讀
- 英特爾晶圓代工追蹤:英特爾外部代工收入走到哪,EMIB-T 2027 年客戶放量目標的官方紀錄。
- 封裝依接法分成哪四層:從銲線、覆晶到晶圓級與系統級,看 2.5D 互連在整個封裝分類裡的位置。
- 載板和系統板怎麼分:EMIB 的矽橋嵌進的那塊封裝載板是什麼,凸塊間距怎麼一路縮小。
來源
- Intel Foundry EMIB Technology Brief,英特爾晶圓代工官方 EMIB 技術簡介。↩
- Intel Advanced Packaging Innovations,英特爾晶圓代工官方先進封裝技術頁。↩
- PCB、HLC、HDI、BT、ABF 差在哪,Trend Core 免費教學頁,凸塊間距表整理自英特爾封裝技術資料,2026-10-12 發布。↩
- 英特爾 EMIB 與台積電 CoWoS 的封裝格式之爭,Trend Core 先進封裝系列,全文公開,2026-06-27 發布。↩
- EMIB-T 的 T 是什麼,「只有英特爾能做」對不對,Trend Core 付費研報,2026-06-09 發布,引用段落位在付費牆之前。↩
- 輝達預付款訂 Amkor 封裝產能,Trend Core 免費研報,2026-10-27 發布。↩
- 英特爾 EMIB-T 官方說到哪裡:訂單、記憶體與光學封裝,Trend Core 先進封裝系列付費研報,2026-08-26 發布,引用段落位在付費牆之前。↩
- EMIB-T 的兩個時程:英特爾的 2027 與聯發科的 2028,Trend Core 先進封裝系列免費研報,2026-08-04 發布。↩
- EMIB-T 的價差與報廢風險,Trend Core 先進封裝系列付費研報,2026-08-01 發布,引用段落位在付費牆之前。↩
- 英特爾封裝從訂單到營收的兌現鏈,Trend Core 付費研報,2026-07-08 發布,引用段落位在付費牆之前。↩
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